Міністерство освіти і науки України Національний університет «Львівська Політехніка»
ЗНЯТТЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНИМ ЕМІТЕРОМ Звіт до лабораторної роботи № 4 з дисципліни: “Електроніка та мікросхемотехніка” Мета роботи – вивчення особливостей роботитранзистора в схемі з спільним емітером, зняття вхідних і вихідних статичних характеристик, визначення коефіцієнта підсилення за струмом і вхідного опору. Основні параметри досліджуваного транзистора .
приUк = const(диференціальний коефіцієнт передачі емітерного струму;
приUк=const(диференціальний опір емітерного переходу
, де (Т( температурний потенціал, який залежить від температури і при температурі оточуючого середовища Тос=20оС складає (Т =25 мВ;
приIe = const(диференціальний опір колекторного переходу, для малопотужних транзисторів rк( 1 МОм;
приIe = const(коефіцієнт внутрішнього зворотного зв’язку за напругою, який характеризує вплив Uк на Uе у зв’язку з явищем модуляції товщини бази,
; rб( об’ємний опір бази, який залежить від конфігурації бази (її активної і пасивної частин) і матеріалу, переважно rб((100 ( 200) Ом;
( ємність (бар’єрна) колекторного переходу; ік0( тепловий (некерований) струм колектора. Схема для дослідження, необхідні прилади і деталі Схема для зняття характеристик транзистора в схемі з спільним емітеромнаведена на рис.3. Для підбору елементів схеми необхідно знати параметри досліджуваного транзистора. Досліджуваний транзистор, джерела живлення, вимірювальні прилади і потенціометри з'єднують за схемою зображеною на рис.3. Після перевірки схеми приступають до її випробування. Для цього потенціометром R2встановлюють напругу колектор-емітер Uке порядку (50(60)% від максимального значення напруги для досліджуваного транзистора. Підтримуючи цю напругусталою, змінюють напругуUбе (за допомогою потенціометра R1) і стежать за показами приладу, який вимірюєструм бази Іб. Його значення повинно змінюватися в межах, достатніх для зняття вхідної характеристики транзистора. Потім перевіряють можливість зняття вихідної характеристики. Для цього встановлюють повзунок потенціометра R1в середнє положення, задають значення струму бази Ібі підтримують його сталим. Змінюючи напругуUке, стежать за значенням струмуколектораІк, який повинен плавно змінюватися в межах, які дозволяють зняти вихідну статичну характеристику транзистора. Зняття вхідних статичних характеристик транзистора Іб=f(Uбе) приUке=const Таблиця 1.1 Транзистор типу КТ814А Uке=0, В Uбе, В 0,1 0,5 0,6 0,615 0,62 0,64 0,7   Іб, мкА 0 2 50 100 150 300 400  U(ке=2, В Uбе, В 0,1 0,6 0,62 0,64 0,7 0,71 0,72   Іб, мкА 0 10 50 100 150 300 400   Таблиця 1.2 Транзистор типу МП37Б Uке=0, В Uбе, В 0,1 0,18 0,21 0,24 0,26 0,3 0,33   Іб, мкА 0 50 100 150 200 300 400  U(ке=2, В Uбе, В 0,1 0,2 0,245 0,5 0,65 0,78 0,85   Іб, мкА 0 25 50 100 150 200 230   Зняття вихідних статичних характеристик транзистора Ік=f1 (Uке) приІб=const Таблиця 2.1 Транзистор типу КТ814А Іб =20, мкА Іб =40, мкА Іб =60, мкА Іб=80, мкА  Uке, В Ік, мА Uке, В Ік, мА Uке, В Ік, мА Uке, В Ік, мА  0 0 0 0 0 0 0 0  0,8 3 0,8 0,7 10 5,5 1 8  6 4,2 7,8 2 12 6,5 2 8,75  10 5 10 8 15 7,25 4 9,6  18 6,5 17 16,2 20,5 8 7 11  Таблиця 2.2 Транзистор типу МП37Б Іб =50, мкА Іб =100, мкА Іб =150, мкА Іб=200, мкА  Uке, В Ік, мА Uке, В Ік, мА Uке, В Ік, мА Uке, В Ік, мА  0 0,4 0 4,6 0 8,3 0 11,8  10 2,7 1,8 6 6 10 2,2 11,95  14 3,25 10 6,3 10 10,35 10,4 14  18,2 4 17,9 7,9 17,7 12 15,8 16,5   Побудова статичних характеристик транзистора На основі результатів табл.1 і табл.2, в прямокутній системі координат будуємо сімейства вхідних (а) і вихідних (б) статичних характеристик транзисторів.
Рис. 4.а.1 Вхідна характеристика КТ814А

Рис. 4.б.1 Вихідна характеристика КТ814А
Рис. 4.б.2 Вихідна ...